parylene防潮镀膜
您当前的位置 : 首 页 > 新闻中心 > 公司新闻

联系我们Contact Us

深圳市东田精密光电有限公司东莞分公司

电 话:13377783233

传 真:0769-87566899

网 址:www.dt-parylene.com

地 址:东莞市塘厦镇科苑城鹿苑路168号乐科工业园A栋 

CVD薄膜技术和工作原理分析

2019-05-22 11:40:18

一般把反应物是 气态而生成物之- -的固态的反 应称为CVD反应,CVD薄膜技术原理是建立在化学反应基础上的。

目前常用的CVD沉积反应一般有以下几种原理:

1、热分解反应

2、氢还原反应

3、置换或合成反应

4、化学输运反应

5、固相扩散反应

CVD技术的优点主要包括以下几个方面:

1、应用范围广

2、成膜速度快

3、工作是在低真空条件下进行的,因此镀膜的绕射性好,在形状复杂,如有深孔,细孔的工件上都能均匀镀膜。

image.png

4、由于反应气体、反应产物和基片的相互扩散,可以得到附着强度好的镀膜,这对于制备耐磨、抗腐蚀等表面强化膜是很重要的。

5、由于薄膜生长的温度比膜材的熔点低得多,因此能得到高纯度、结晶完全的膜层,这是某些半导体用镀层所必需的。膜层纯度高,结晶完全是由于低温生长,反应气体和反应器壁以及其中

所含不纯物几乎不发生反应,对膜层玷污少等原因所致。

6、CVD可以获得平滑的沉积表面。在沉积过程中成核率高,成核密度大,在整个平面上分布均匀,从而可产生宏观平滑的表面。

7、辐射损伤低,这是制造MOS(金属氧化物半导体)等器件不可缺少的条件。

CVD技术的一些缺点主要有:

1、有时参加沉积的反应物及反应后的气体易燃、易爆、有毒或具有腐蚀性,因此需要采取预防措施。

2、欲对基材局部或某个表面沉积薄膜很困难,

3、反应温度高,一般为1000摄氏度左右。

最近浏览: